ON Semiconductor FQB7N65CTM

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

2

供应商器件包装

D2PAK (TO-263AB)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

173W Tc

Turn Off Delay Time

90 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

650V

额定电流

7A

元素配置

Single

功率耗散

173W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4Ohm @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1245pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

50ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

7A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

650V

输入电容

1.245nF

漏源电阻

1.4Ohm

最大rds

1.4 Ω

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅