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首页 全部分类 STD105N10F7AG vs IPD068N10N3GATMA1

STD105N10F7AG备选型号: IPD068N10N3GATMA1

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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STD105N10F7AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD10
    Single
    N-Channel
    8m Ω @ 40A, 10V
    4.5V @ 250μA
    4369pF @ 50V
    61nC @ 10V
    100V
    ±20V
    80A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD068N10N3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    6.8m Ω @ 90A, 10V
    3.5V @ 90μA
    4910pF @ 50V
    68nC @ 10V
    -
    ±20V
    90A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    18 Weeks
    3
    SILICON
    2008
    yes
    2
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    100V
    0.0068Ohm
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