STD10N60M2备选型号: FCD7N60TM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M216 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON7.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)2EAR99600mOhm鸥翼STD10R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN8.8 nsN-ChannelSWITCHING600m Ω @ 3A, 10V4V @ 250μA400pF @ 100V13.5nC @ 10V8ns±25V13.2 ns7.5A25V600V2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET N-CH 600V 7A DPAK12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperFET™活跃1 (Unlimited)2EAR99600MOhm鸥翼FCD7N60R-PSSO-G2-Single增强型MOSFETDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING600m Ω @ 3.5A, 10V5V @ 250μA920pF @ 25V30nC @ 10V55ns±30V32 ns7A30V600V2.39mm6.73mm6.22mm无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)260.37mg2013e3yesSMD/SMT600V7A83W5V7A600V5 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD9N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 | 对比 |
![]() | STD11NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | FCD7N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK | 对比 |





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