您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STD10NF10T4 vs STD12NF06T4

STD10NF10T4备选型号: STD12NF06T4

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STD10NF10T4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    4.535924g
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    130mOhm
    100V
    鸥翼
    260
    13A
    30
    STD10
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    460pF @ 25V
    21nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    8 ns
    13A
    3V
    20V
    100V
    52A
    100V
    70 mJ
    3 V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • STMicroelectronics
    STD12NF06T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    EAR99
    100mOhm
    60V
    鸥翼
    260
    12A
    30
    STD12
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    30W
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    315pF @ 25V
    12nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    6 ns
    12A
    3V
    20V
    60V
    48A
    -
    -
    -
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STD4NS25T4 STD4NS25T4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-Ch 250 Volt 4 Amp 对比
STD15NF10T4 STD15NF10T4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R 对比
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK 对比