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首页 全部分类 STD11N65M2 vs IPD60R600C6ATMA1

STD11N65M2备选型号: IPD60R600C6ATMA1

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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • STMicroelectronics
    STD11N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STD11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD11
    9.5 ns
    N-Channel
    670m Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    410pF @ 100V
    12.5nC @ 10V
    7.5ns
    650V
    ±25V
    15 ns
    7A
    3V
    25V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R600C6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    7.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    未说明
    -
    12 ns
    N-Channel
    600m Ω @ 2.4A, 10V
    3.5V @ 200μA
    440pF @ 100V
    20.5nC @ 10V
    9ns
    -
    ±20V
    13 ns
    7.3A
    -
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2008
    e3
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    63W
    DRAIN
    SWITCHING
    600V
    0.6Ohm
    无铅
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