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1

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10

￥4.497244
100

￥4.242681
500

￥4.002532
1000

￥3.775974

STMicroelectronics STD7N65M2

Name: STD7N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-STD7N65M2
Price: 4.77 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

STD7N65M2

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STD7N65M2

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

STMICROELECTRONICS STD7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V

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STD7N65M2详情

技术参数

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型号对比

STMicroelectronics STD7N65M2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

16 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数

3
质量

3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

60W Tc
Turn Off Delay Time

30 ns
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Cut Tape (CT)
系列

MDmesh™
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
基本部件号

STD7
通道数量

1
接通延迟时间

8 ns
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.15 Ω @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

270pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 10V
上升时间

20ns
Vgs（最大值）

±25V
下降时间（典型值）

20 ns
连续放电电流(ID)

5A
阈值电压

3V
栅极至源极电压(Vgs)

25V
漏源击穿电压

650V
达到SVHC

无SVHC
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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STD7N65M2拓展信息

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