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首页 全部分类 STD120N4LF6 vs STD150N3LLH6

STD120N4LF6备选型号: STD150N3LLH6

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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • STMicroelectronics
    STD120N4LF6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    4MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    260
    STD12
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 40A, 10V
    3V @ 250μA
    4300pF @ 25V
    80nC @ 10V
    95ns
    ±20V
    45 ns
    80A
    1V
    20V
    40V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD150N3LLH6
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    80A Tc
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    2.8mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    260
    STD15
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    3700pF @ 25V
    29nC @ 4.5V
    18ns
    ±20V
    46 ns
    80A
    -
    20V
    30V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    30
    525 mJ
    2.5 V
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