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首页 全部分类 STD12NF06T4 vs IPD088N06N3GBTMA1

STD12NF06T4备选型号: IPD088N06N3GBTMA1

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  • 品牌:
  • 描述:
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  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 资历状况
  • 配置
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STD12NF06T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    100mOhm
    60V
    鸥翼
    260
    12A
    30
    STD12
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    30W
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    315pF @ 25V
    12nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    6 ns
    12A
    3V
    20V
    60V
    48A
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD088N06N3GBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    -
    3
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    71W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.8m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 34μA
    3900pF @ 30V
    48nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    5 ns
    50A
    3V
    20V
    -
    200A
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    18 Weeks
    2008
    no
    Tin (Sn)
    SINGLE
    not_compliant
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    不含卤素
    TO-252AA
    60V
    0.0088Ohm
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IPD088N06N3GBTMA1 IPD088N06N3GBTMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R 对比
FDD5614P FDD5614P ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ON SEMICONDUCTOR - FDD5614P - P CHANNEL MOSFET, 60V, 15A, TO-252 对比