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首页 全部分类 STD155N3H6 vs STD100N3LF3

STD155N3H6备选型号: STD100N3LF3

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  • 终端形式
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  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • STMicroelectronics
    STD155N3H6
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    3MOhm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    STD15
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    3650pF @ 25V
    62nC @ 10V
    90ns
    ±20V
    20 ns
    80A
    2V
    20V
    30V
    525 mJ
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD100N3LF3
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    31 ns
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    4.5mOhm
    -
    鸥翼
    STD10
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2060pF @ 25V
    27nC @ 5V
    205ns
    ±20V
    35 ns
    80A
    -
    20V
    30V
    500 mJ
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    e3
    Matte Tin (Sn)
    260
    30
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