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STD15N65M5备选型号: STD16N60M2
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
MOSFET N CH 650V 11A DPAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON11A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V活跃1 (Unlimited)2EAR99340mOhm鸥翼STD15R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAIN30 nsN-ChannelSWITCHING340m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA816pF @ 100V22nC @ 10V8ns650V±25V11 ns11A25V44A650V160 mJ2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅--
MOSFET N-CH 600V 12A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-12A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ M2活跃1 (Unlimited)-EAR99--STD16-Single--10.5 nsN-Channel-320m Ω @ 6A, 10V4V @ 250μA700pF @ 100V19nC @ 10V-600V±25V-12A25V---2.4mm6.6mm6.2mm-ROHS3 Compliant-未说明未说明- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCD9N60NTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 9A DPAK | 对比 |
| STD13NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | 对比 |
| STD16N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 650V 12A DPAK | 对比 |
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