STD16N60M2
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STMicroelectronics STD16N60M2

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型号

STD16N60M2

utmel 编号

2381-STD16N60M2

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

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STD16N60M2
STD16N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

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STD16N60M2详情

STMicroelectronics STD16N60M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 安装类型

    表面贴装

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    12A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Turn Off Delay Time

    58 ns

  • Power Dissipation (Max)

    110W Tc

  • 系列

    MDmesh™ M2

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    STD16

  • 元素配置

    Single

  • 接通延迟时间

    10.5 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    320m Ω @ 6A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    700pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    19nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • Vgs(最大值)

    ±25V

  • 连续放电电流(ID)

    12A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 宽度

    6.2mm

  • 长度

    6.6mm

  • 高度

    2.4mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STD16N60M2相似的参数规格。

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