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STD15NF10T4备选型号: FDD86102

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  • 操作模式
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STD15NF10T4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    4.535924g
    SILICON
    DPAK_0068772
    23A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    65mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    100V
    鸥翼
    260
    23A
    30
    STD15
    3
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    DRAIN
    60 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 12A, 10V
    4V @ 250μA
    870pF @ 25V
    40nC @ 10V
    45ns
    ±20V
    17 ns
    23A
    3V
    20V
    100V
    60A
    75 mJ
    175°C
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD86102
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    -
    8A Ta 36A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    7.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    1035pF @ 50V
    19nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    2.9 ns
    36A
    3.1V
    20V
    100V
    40A
    -
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8 Weeks
    2006
    yes
    8A
    0.024Ohm
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