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首页 全部分类 STD16N65M2 vs IPD65R380C6BTMA1

STD16N65M2备选型号: IPD65R380C6BTMA1

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  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STD16N65M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ M2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD16
    N-Channel
    360m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    718pF @ 100V
    19.5nC @ 10V
    650V
    ±25V
    11A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD65R380C6BTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
    -
    26 Weeks
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    83W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    380m Ω @ 3.2A, 10V
    3.5V @ 320μA
    710pF @ 100V
    39nC @ 10V
    650V
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    2008
    e3
    no
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    10.6A
    0.38Ohm
    29A
    650V
    215 mJ
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