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首页 全部分类 STD17NF03LT4 vs NTD23N03RT4G

STD17NF03LT4备选型号: NTD23N03RT4G

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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 已出版
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STD17NF03LT4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    50mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    30V
    鸥翼
    260
    17A
    30
    STD17
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    30W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 8.5A, 10V
    2.2V @ 250μA
    320pF @ 25V
    6.5nC @ 5V
    100ns
    ±16V
    22 ns
    17A
    1.5V
    TO-252AA
    16V
    30V
    68A
    200 mJ
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD23N03RT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    SILICON
    3.8A Ta 17.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    Tin (Sn)
    25V
    鸥翼
    -
    23A
    -
    -
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    22.3W
    DRAIN
    2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 6A, 10V
    2V @ 250μA
    225pF @ 20V
    3.76nC @ 4.5V
    14.9ns
    ±20V
    2 ns
    23A
    -
    -
    20V
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    2009
    3.8A
    0.06Ohm
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