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STD17NF25备选型号: STD20NF20
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 电压 - 额定直流
- Reach合规守则
- 额定电流
- 资历状况
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON17A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR99165mOhmMatte Tin (Sn)鸥翼26030STD173R-PSSO-G2Single增强型MOSFET90W8.8 nsN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 8.5A, 10V4V @ 250μA1000pF @ 25V29.5nC @ 10V17.2ns±20V8.8 ns8.5A3V20V250V68A250V3 V2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------ MOSFET N-CH 200V 18A DPAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON18A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™e3活跃1 (Unlimited)2-EAR99125mOhm-鸥翼26030STD20N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET90W15 nsN-ChannelSWITCHING125m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA940pF @ 25V39nC @ 10V30ns±20V10 ns18A3V20V200V72A--2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅Tin200Vnot_compliant18A不合格
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDD18N20LZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel Power MOSFET, Logic Level, UniFETTM, 200 V, 16 A, 125 mO, DPAK | 对比 |
| STD18NF25 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 250V 17A DPAK | 对比 |
| STD20NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 200V 18A DPAK | 对比 |
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