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首页 全部分类 STD25N10F7 vs IRFR3410TRPBF

STD25N10F7备选型号: IRFR3410TRPBF

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  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STD25N10F7
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    3.949996g
    25A Tc
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STD25N
    1
    Single
    9.8 ns
    N-Channel
    35m Ω @ 12.5A, 10V
    4.5V @ 250μA
    920pF @ 50V
    14nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    4.6 ns
    25A
    20V
    100V
    6.2mm
    6.6mm
    2.4mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3410TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    -
    31A Tc
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    Single
    12 ns
    N-Channel
    39m Ω @ 18A, 10V
    4V @ 250μA
    1690pF @ 25V
    56nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    13 ns
    31A
    20V
    100V
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    2004
    e3
    2
    SMD/SMT
    39MOhm
    100V
    鸥翼
    260
    31A
    30
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    SWITCHING
    4V
    TO-252AA
    100V
    4 V
    无SVHC
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