STMicroelectronics STD25N10F7
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STD25N10F7
2381-STD25N10F7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
--最小包装量--
STD25N10F7详情
STMicroelectronics STD25N10F7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
25A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Turn Off Delay Time
14.8 ns
Power Dissipation (Max)
40W Tc
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STD25N
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
9.8 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
35m Ω @ 12.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
920pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 10V
上升时间
14ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.6 ns
连续放电电流(ID)
25A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
宽度
6.2mm
长度
6.6mm
高度
2.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
STD25N10F7拓展信息
STMicroelectronics
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