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首页 全部分类 STD27N3LH5 vs IRLR2703PBF

STD27N3LH5备选型号: IRLR2703PBF

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  • 晶体管应用
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 已出版
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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STD27N3LH5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 30 V 27 A DPAK IPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    27A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ V
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    19mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    STD27N
    3
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    30W
    DRAIN
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 13.5A, 10V
    1V @ 250μA
    475pF @ 25V
    4.6nC @ 5V
    22ns
    ±22V
    2.8 ns
    27A
    22V
    30V
    108A
    50 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR2703PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    23A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    45mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    鸥翼
    260
    30
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    38W
    DRAIN
    8.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 14A, 10V
    1V @ 250μA
    450pF @ 25V
    15nC @ 4.5V
    140ns
    ±16V
    20 ns
    23A
    16V
    30V
    96A
    77 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2003
    雪崩 额定
    30V
    23A
    Single
    1V
    TO-252AA
    30V
    97 ns
    1 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
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