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首页 全部分类 STD2LN60K3 vs FQD3N60CTM-WS

STD2LN60K3备选型号: FQD3N60CTM-WS

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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STD2LN60K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    2A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH3™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD2LN60
    45W
    N-Channel
    4.5 Ω @ 1A, 10V
    4.5V @ 50μA
    235pF @ 50V
    12nC @ 10V
    8.5ns
    ±30V
    21 ns
    2A
    30V
    600V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD3N60CTM-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    2.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    50W
    N-Channel
    3.4 Ω @ 1.2A, 10V
    4V @ 250μA
    565pF @ 25V
    14nC @ 10V
    30ns
    ±30V
    35 ns
    2.4A
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    600V
    TO-252AA
    9.6A
    600V
    无
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