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首页 全部分类 STD2LN60K3 vs STD2HNK60Z

STD2LN60K3备选型号: STD2HNK60Z

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  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STD2LN60K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    2A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH3™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD2LN60
    45W
    N-Channel
    4.5 Ω @ 1A, 10V
    4.5V @ 50μA
    235pF @ 50V
    12nC @ 10V
    8.5ns
    ±30V
    21 ns
    2A
    30V
    600V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD2HNK60Z
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    260
    30
    STD2HNK
    45W
    N-Channel
    4.8 Ω @ 1A, 10V
    4.5V @ 50μA
    280pF @ 25V
    15nC @ 10V
    30ns
    ±30V
    50 ns
    2A
    30V
    600V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    2
    4.8Ohm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    10 ns
    SWITCHING
    TO-252AA
    2A
    8A
    无
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