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STD30NF03LT4备选型号: IPD090N03LGATMA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- 无铅代码
- Reach合规守则
- 资历状况
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON30A Tc-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3Obsolete1 (Unlimited)2EAR9925mOhmMatte Tin (Sn) - annealed低阈值30V鸥翼26030A30STD30N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET50WDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING25m Ω @ 15A, 10V2.5V @ 250μA830pF @ 25V18nC @ 5V205ns±20V240 ns30A1.7V20V30V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON40A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99-Tin (Sn)AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE-鸥翼未说明-未说明-4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET42WDRAIN4 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA1600pF @ 15V15nC @ 10V3ns±20V2.6 ns40A-20V30V--ROHS3 Compliant-18 Weeks2006nonot_compliant不合格280A70 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11 | 对比 |
 | FDD6685 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R | 对比 |
| FDD8780 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA | 对比 |
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