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首页 全部分类 STD30NF06LT4 vs FDD5810

STD30NF06LT4备选型号: FDD5810

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 资历状况
  • 箱体转运
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STD30NF06LT4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    4.535924g
    SILICON
    DPAK_P032P
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    28mOhm
    Matte Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    60V
    鸥翼
    260
    35A
    30
    STD30N
    3
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    28m Ω @ 18A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1600pF @ 25V
    31nC @ 5V
    105ns
    ±20V
    25 ns
    35A
    1.7V
    TO-252AA
    20V
    60V
    175°C
    2.5 V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD5810
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    SILICON
    -
    7.4A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    60V
    鸥翼
    未说明
    35A
    未说明
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    88W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 32A, 10V
    2V @ 250μA
    1890pF @ 25V
    34nC @ 10V
    75ns
    ±20V
    34 ns
    37A
    -
    TO-252AA
    20V
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    yes
    不合格
    DRAIN
    7.4A
    0.022Ohm
    45 mJ
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