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首页 全部分类 STD30NF06LT4 vs IPD350N06LGBTMA1

STD30NF06LT4备选型号: IPD350N06LGBTMA1

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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 箱体转运
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STD30NF06LT4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    4.535924g
    SILICON
    DPAK_P032P
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    28mOhm
    Matte Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    60V
    鸥翼
    260
    35A
    30
    STD30N
    3
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    28m Ω @ 18A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1600pF @ 25V
    31nC @ 5V
    105ns
    ±20V
    25 ns
    35A
    1.7V
    TO-252AA
    20V
    60V
    175°C
    2.5 V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD350N06LGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    -
    29A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    60V
    鸥翼
    未说明
    29A
    未说明
    -
    4
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    68W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 29A, 10V
    2V @ 28μA
    800pF @ 30V
    13nC @ 5V
    -
    ±20V
    -
    29A
    1.6V
    TO-252AA
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    18 Weeks
    2008
    no
    SINGLE
    not_compliant
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    不含卤素
    60V
    80 mJ
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