STD37P3H6AG备选型号: IRLR3103TRPBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET P-CH 30V 40A DPAKNRND (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6349A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6Obsolete1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STD37P-Channel15m Ω @ 25A, 10V4V @ 250μA1630pF @ 25V30.6nC @ 10V30V±20V49AROHS3 Compliant----------------------------------
- MOSFET N-CH 30V 55A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6355A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®不用于新设计1 (Unlimited)EAR9926030-N-Channel19m Ω @ 33A, 10V1V @ 250μA1600pF @ 25V50nC @ 4.5V-±16V46AROHS3 Compliant12 Weeks3SILICON1998e3219mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierLOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED30V鸥翼52AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET69WDRAIN9 nsSWITCHING210ns54 ns1VTO-252AA16V20A30V220A240 mJ2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无Contains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR3103TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK | 对比 |
![]() | IRFR3707PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | 对比 |




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