您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STD40NF3LLT4 vs IPD40N03S4L08ATMA1

STD40NF3LLT4备选型号: IPD40N03S4L08ATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • Reach合规守则
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STD40NF3LLT4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 30 Volt 40 Amp
    NRND (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    30V
    鸥翼
    260
    40A
    30
    STD40
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 20A, 10V
    1V @ 250μA
    1650pF @ 25V
    33nC @ 4.5V
    156ns
    ±16V
    28 ns
    40A
    TO-252AA
    16V
    0.011Ohm
    30V
    160A
    850 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD40N03S4L08ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    3 ns
    N-Channel
    -
    8.3m Ω @ 40A, 10V
    2.2V @ 13μA
    1520pF @ 15V
    20nC @ 10V
    1ns
    ±16V
    5 ns
    40A
    -
    16V
    -
    -
    160A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    12 Weeks
    2010
    not_compliant
    无卤素
    30V
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD40N03S4L08ATMA1 IPD40N03S4L08ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 43A TO252 对比