STD4N80K5备选型号: FCD4N60TM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 阈值电压
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protectedACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON3A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SuperMESH5™活跃1 (Unlimited)2EAR992.5Ohm鸥翼STD4NR-PSSO-G21Single增强型MOSFET60WDRAIN16.5 nsN-ChannelSWITCHING2.5 Ω @ 1.5A, 10V5V @ 100μA175pF @ 100V10.5nC @ 10V15ns±30V21 ns3A30V3A800V74.5 mJ2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅------------
- N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 3.9 A, 1.2 O, DPAKACTIVE (Last Updated: 4 days ago)13 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON3.9A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperFET™活跃1 (Unlimited)2EAR991.2Ohm鸥翼FCD4N60R-PSSO-G21Single增强型MOSFET50WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING1.2 Ω @ 2A, 10V5V @ 250μA540pF @ 25V16.6nC @ 10V45ns±30V30 ns3.9A30V-600V-2.517mm6.73mm6.22mm无ROHS3 Compliant无铅260.37mg2013e3yesSMD/SMT600V3.9A5V600V150°C5 V无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD4N62K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK | 对比 |
![]() | STD3N62K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK | 对比 |
![]() | FCD4N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 3.9 A, 1.2 O, DPAK | 对比 |




哦! 它是空的。