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首页 全部分类 STD4NS25T4 vs IPD088N06N3GBTMA1

STD4NS25T4备选型号: IPD088N06N3GBTMA1

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 栅源电压
  • 宽度
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  • 已出版
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  • 配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
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  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STD4NS25T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 250 Volt 4 Amp
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    4A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MESH OVERLAY™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    250V
    鸥翼
    260
    not_compliant
    4A
    30
    STD4N
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    N-Channel
    SWITCHING
    1.1 Ω @ 2A, 10V
    4V @ 250μA
    355pF @ 25V
    27nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    10.5 ns
    4A
    3V
    20V
    4A
    250V
    250V
    3 V
    6.8mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD088N06N3GBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    -
    未说明
    -
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    71W
    N-Channel
    SWITCHING
    8.8m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 34μA
    3900pF @ 30V
    48nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    5 ns
    50A
    3V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    18 Weeks
    2008
    no
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    15 ns
    不含卤素
    TO-252AA
    60V
    0.0088Ohm
    200A
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