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STD5406NT4G备选型号: NTD5803NT4G
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- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 功率耗散
- 箱体转运
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAKLIFETIME (Last Updated: 17 hours ago)表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON12.2A Ta 70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼3R-PSSO-G2Single增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 30A, 10V3.5V @ 250μA2500pF @ 32V45nC @ 10V40V±20V70A20V12.2A0.01Ohm150A40V450 mJ无ROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 40V 76A DPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES4SILICON76A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2008e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼4R-PDSO-G2Single增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING7.2m Ω @ 50A, 10V3.5V @ 250μA3220pF @ 25V51nC @ 10V-±20V76A20V-0.0072Ohm228A---符合RoHS标准无铅DUAL未说明未说明不合格83WDRAIN21.4ns6.6 ns40V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTDV5804NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 69A DPAK | 对比 |
| NTD5803NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 76A DPAK | 对比 |
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