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首页 全部分类 STD5407NT4G vs STD26P3LLH6

STD5407NT4G备选型号: STD26P3LLH6

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • DS 击穿电压-最小值
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  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    STD5407NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 7.6A DPAK
    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)
    24 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    SILICON
    7.6A Ta 38A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    2.9W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 20A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1000pF @ 32V
    20nC @ 10V
    40V
    ±20V
    7.6A
    20V
    0.026Ohm
    75A
    40V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD26P3LLH6
    STMicroelectronics
    Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 40W; DPAK
    -
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    SILICON
    12A Tc
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1450pF @ 25V
    12nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    12A
    20V
    -
    48A
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    5.5mOhm
    STD26P
    1
    15 ns
    15ns
    21 ns
    -2.5V
    -30V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
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