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首页 全部分类 STD60NF06T4 vs STD70N6F3

STD60NF06T4备选型号: STD70N6F3

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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STD60NF06T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    16mOhm
    Tin (Sn)
    鸥翼
    260
    30
    STD60N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 30A, 10V
    4V @ 250μA
    1810pF @ 25V
    66nC @ 10V
    108ns
    ±20V
    20 ns
    60A
    4V
    TO-252AA
    20V
    60V
    240A
    60V
    4 V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • STMicroelectronics
    STD70N6F3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ III
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    10.5MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    260
    -
    STD70N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    10.5m Ω @ 35A, 10V
    4V @ 250μA
    2200pF @ 25V
    35nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    70A
    -
    -
    20V
    60V
    280A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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