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首页 全部分类 STD64N4F6AG vs IPD50N04S308ATMA1

STD64N4F6AG备选型号: IPD50N04S308ATMA1

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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STD64N4F6AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 40V 54A
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    54A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    STD64N
    N-Channel
    8.2m Ω @ 27A, 10V
    4.5V @ 250μA
    2415pF @ 25V
    44nC @ 10V
    40V
    ±20V
    54A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50N04S308ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    7.5m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 40μA
    2350pF @ 25V
    35nC @ 10V
    -
    ±20V
    50A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    26 Weeks
    SILICON
    2007
    e3
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    68W
    DRAIN
    11 ns
    无卤素
    7ns
    6 ns
    20V
    40V
    0.0075Ohm
    200A
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