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STD65N3LLH5备选型号: STD100N3LF3

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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 接通延迟时间
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STD65N3LLH5
    STMicroelectronics
    MOSFET N CH 30V 65A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    Figure 19
    65A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STD65N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6.9m Ω @ 32.5A, 10V
    3V @ 250μA
    1290pF @ 25V
    8nC @ 4.5V
    11.2ns
    ±22V
    6 ns
    65A
    22V
    0.0097Ohm
    30V
    260A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD100N3LF3
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    -
    31 ns
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    260
    30
    STD10
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2060pF @ 25V
    27nC @ 5V
    205ns
    ±20V
    35 ns
    80A
    20V
    -
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    e3
    4.5mOhm
    Matte Tin (Sn)
    9 ns
    500 mJ
    无
    无铅
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