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首页 全部分类 STD65N55LF3 vs IRFR1018ETRPBF

STD65N55LF3备选型号: IRFR1018ETRPBF

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  • 终止次数
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  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STD65N55LF3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 55V 7.0mOh 110W STripFETIII 80A 55V
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ III
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    7MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    低阈值
    鸥翼
    260
    STD65N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 32A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2200pF @ 25V
    20nC @ 5V
    25ns
    ±20V
    10 ns
    80A
    20V
    55V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR1018ETRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    56A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    鸥翼
    260
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.4m Ω @ 47A, 10V
    4V @ 100μA
    2290pF @ 50V
    69nC @ 10V
    35ns
    ±20V
    46 ns
    79mA
    20V
    60V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    2004
    30
    TO-252AA
    56A
    0.0084Ohm
    88 mJ
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
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