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首页 全部分类 STD65N55LF3 vs IRLR3705ZTRPBF

STD65N55LF3备选型号: IRLR3705ZTRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 已出版
  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STD65N55LF3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 55V 7.0mOh 110W STripFETIII 80A 55V
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ III
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    7MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    低阈值
    鸥翼
    260
    STD65N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 32A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2200pF @ 25V
    20nC @ 5V
    25ns
    ±20V
    10 ns
    80A
    20V
    55V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR3705ZTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    8MOhm
    -
    HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    260
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    130W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 42A, 10V
    3V @ 250μA
    2900pF @ 25V
    66nC @ 5V
    150ns
    ±16V
    70 ns
    89A
    16V
    55V
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    2006
    SMD/SMT
    55V
    42A
    30
    3V
    TO-252AA
    55V
    42 ns
    3 V
    2.2606mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
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