您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STD6NK50ZT4 vs STD7N52K3

STD6NK50ZT4备选型号: STD7N52K3

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 端子位置
  • 配置
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • STMicroelectronics
    STD6NK50ZT4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    5.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH™
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    1.2Ohm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    500V
    鸥翼
    260
    5.6A
    30
    STD6N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 2.8A, 10V
    4.5V @ 50μA
    690pF @ 25V
    24.6nC @ 10V
    23.5ns
    ±30V
    23 ns
    5.6A
    3.75V
    30V
    500V
    22.4A
    3.75 V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD7N52K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 525V 6.2A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    6A Tc
    150°C TJ
    Digi-Reel®
    SuperMESH3™
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    850mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    鸥翼
    260
    -
    -
    STD7
    3
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    90W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    980m Ω @ 3.1A, 10V
    4.5V @ 50μA
    737pF @ 100V
    34nC @ 10V
    11ns
    ±30V
    19 ns
    6A
    3.75V
    30V
    525V
    25A
    -
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    TO-252AA
    6.2A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比
STD7N52K3 STD7N52K3 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 525V 6.2A DPAK 对比