您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STD80N10F7 vs IPD082N10N3GATMA1

STD80N10F7备选型号: IPD082N10N3GATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STD80N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    ULTRA LOW-ON RESISTANCE
    鸥翼
    STD80
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 40A, 10V
    4.5V @ 250μA
    3100pF @ 50V
    45nC @ 10V
    32ns
    100V
    ±20V
    13 ns
    70A
    20V
    280A
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD082N10N3GATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.2m Ω @ 73A, 10V
    3.5V @ 75μA
    3980pF @ 50V
    55nC @ 10V
    42ns
    -
    ±20V
    8 ns
    80A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    2010
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    100V
    0.0082Ohm
    110 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 对比
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH TO252-3 对比
IRFR3607PBF IRFR3607PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 75V 80A DPAK 对比