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STD85N10F7AG备选型号: STD80N10F7
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- 附加功能
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 100V 70A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, STripFET™活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明STD85R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 40A, 10V4.5V @ 250μA3100pF @ 50V45nC @ 10V100V±20V70A0.01Ohm280A100VROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET N-CH 100V 70A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VII活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼--STD80R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 40A, 10V4.5V @ 250μA3100pF @ 50V45nC @ 10V100V±20V70A-280A-ROHS3 Compliant无铅33.949996gULTRA LOW-ON RESISTANCE1Single19 ns32ns13 ns20V2.4mm6.6mm6.2mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STD80N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 70A DPAK | 对比 |
| STD105N10F7AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 80A DPAK | 对比 |
 | FDD86369-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 80V 90A DPAK | 对比 |
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