STD8N65M5备选型号: STD10NM65N

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JEDEC-95代码
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A 710VDss
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    7A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ V
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    600mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    260
    30
    STD8N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    50 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 3.5A, 10V
    5V @ 250μA
    690pF @ 100V
    15nC @ 10V
    14ns
    ±25V
    11 ns
    7A
    4V
    25V
    7A
    650V
    28A
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    9A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    480mOhm
    -
    -
    鸥翼
    260
    30
    STD10
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    480m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 250μA
    850pF @ 50V
    25nC @ 10V
    8ns
    ±25V
    20 ns
    9A
    3V
    25V
    9A
    650V
    -
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    TO-252AA
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