STMicroelectronics STD8NM60ND

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Turn Off Delay Time

37 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FDmesh™ II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

700mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

STD8N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

700m Ω @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

560pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 10V

上升时间

22ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

7A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

栅源电压

4 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅