STD8NM50N备选型号: STD7N60M2

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    5A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    790mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    鸥翼
    260
    STD8N
    3
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    45W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    790m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    364pF @ 50V
    14nC @ 10V
    4.4ns
    ±25V
    8.8 ns
    5A
    3V
    25V
    5A
    500V
    20A
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II Plus
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    950mOhm
    -
    -
    鸥翼
    -
    STD7
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    60W
    7.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    271pF @ 100V
    8.8nC @ 10V
    7.2ns
    ±25V
    15.9 ns
    5A
    3V
    25V
    5A
    600V
    20A
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    1
    Single
    DRAIN
    99 mJ
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STD7NM60N STD7NM60N STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK 对比
STD7N60M2 STD7N60M2 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK 对比