STD8NM60ND备选型号: FCD600N60Z
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 已出版
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 漏源电压 (Vdss)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON7A Tc150°C TJTape & Reel (TR)FDmesh™ IIe3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99700mOhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼260STD8N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET70WDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING700m Ω @ 3.5A, 10V5V @ 250μA560pF @ 50V22nC @ 10V22ns±30V22 ns7A4V30V7A600V28A200 mJ4 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON7.4A Tc-55°C~150°C TJDigi-Reel®SuperFET® IIe3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99-Tin (Sn)鸥翼未说明FCD600N60-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET89WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING600m Ω @ 3.7A, 10V3.5V @ 250μA1120pF @ 25V26nC @ 10V7ns±20V8 ns7.4A-20V-650V22.2A----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)15 Weeks260.37mg2010not_compliant未说明600VTO-252AA0.6Ohm2.39mm6.73mm6.22mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD10N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2 | 对比 |
![]() | STD10NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | STMICROELECTRONICS STD10NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
![]() | FCD7N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK | 对比 |






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