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首页 全部分类 STD96N3LLH6 vs FDD8880

STD96N3LLH6备选型号: FDD8880

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 功率耗散
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STD96N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    80A Tc
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    4.2MOhm
    SINGLE
    鸥翼
    STD96
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    70W
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.2m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2200pF @ 25V
    20nC @ 4.5V
    91ns
    ±20V
    23.4 ns
    80A
    20V
    30V
    150 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8880
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    13A Ta 58A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    9MOhm
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    55W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1260pF @ 15V
    31nC @ 10V
    91ns
    ±20V
    32 ns
    58A
    20V
    30V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    Tin
    260.37mg
    2004
    e3
    yes
    30V
    58A
    Single
    2.5V
    TO-252AA
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
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