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首页 全部分类 STDLED625H vs IPD65R1K4C6ATMA1

STDLED625H备选型号: IPD65R1K4C6ATMA1

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  • 基本部件号
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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 已出版
  • STMicroelectronics
    STDLED625H
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    4.5A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STDLE
    10 ns
    N-Channel
    2 Ω @ 1.9A, 10V
    4.5V @ 50μA
    560pF @ 50V
    23nC @ 10V
    9ns
    620V
    ±30V
    19 ns
    4.5A
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD65R1K4C6ATMA1
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    1.4Ohm @ 1A, 10V
    3.5V @ 100μA
    225pF @ 100V
    10.5nC @ 10V
    -
    650V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    PG-TO252-3
    CoolMOS™ C6
    2008
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FQD5N50TM FQD5N50TM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK 对比