注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥10.114064
10

￥9.541572
100

￥9.00148
500

￥8.491962
1000

￥8.011286

Infineon Technologies IPD65R1K4C6ATMA1

Name: IPD65R1K4C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPD65R1K4C6ATMA1
Price: 10.11 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

IPD65R1K4C6ATMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPD65R1K4C6ATMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

IPD65R1K4C6ATMA1 Infineon Technologies Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3

单价: $

合计: ￥

库存:12459

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

IPD65R1K4C6ATMA1详情

技术参数

PDF文档

Infineon Technologies IPD65R1K4C6ATMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装

PG-TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

28W Tc
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

CoolMOS™ C6
已出版

2008
零件状态

不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4Ohm @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

650V
Vgs（最大值）

±20V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

0个相似型号

IPD65R1K4C6ATMA1拓展信息

热销零件