STDLED656备选型号: STD7N65M2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 系列
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 650V 6A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6336A Tc150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)EAR99STDLE14 nsN-Channel1.3 Ω @ 2.7A, 10V4.5V @ 50μA895pF @ 100V34nC @ 10V10ns650V±30V24 ns6A30V无ROHS3 Compliant无铅---------
- STMICROELECTRONICS STD7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6335A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)EAR99STD78 nsN-Channel1.15 Ω @ 2.5A, 10V4V @ 250μA270pF @ 100V9nC @ 10V20ns-±25V20 ns5A25V-ROHS3 Compliant-16 Weeks3.949996gMDmesh™未说明未说明13V650V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 650V TO-252 | 对比 |
![]() | IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | INFINEON IPD60R950C6 Power MOSFET, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |




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