STE140NF20D备选型号: MRFE6VS25LR5
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 已出版
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 测试电流
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 增益
- DS 击穿电压-最小值
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 电压-测试
- MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOPACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOC4SILICON140A Tc-55°C~150°C TJTubeSTripFET™ II活跃1 (Unlimited)4EAR9910mOhmNickel (Ni)雪崩能源评级UPPERUNSPECIFIEDSTE14SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET500WISOLATED232 nsN-ChannelSWITCHING12m Ω @ 70A, 10V4V @ 250μA11100pF @ 25V338nC @ 10V218ns±20V250 ns140A3V20V200V560A800 mJ3 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------------
- FET VHV6E 25W 50V NI360L-10 Weeks--NI-360-SILICON1-Tape & Reel (TR)-活跃不适用2EAR99---DUALFLATMRFE6VS25-SINGLE增强型MOSFET---------------------ROHS3 Compliant-YES20128541.29.00.75260512MHz40R-PDFM-F210mAN-CHANNELLDMOS25.9dB133V25WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR50V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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