STMicroelectronics STE140NF20D
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STE140NF20D
2381-STE140NF20D
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-227-4, miniBLOC
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MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP
--最小包装量--
STE140NF20D详情
STMicroelectronics STE140NF20D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
140A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500W Tc
Turn Off Delay Time
283 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
STripFET™ II
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
10mOhm
端子表面处理
Nickel (Ni)
附加功能
雪崩能源评级
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
基本部件号
STE1
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
232 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
12m Ω @ 70A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11100pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
338nC @ 10V
上升时间
218ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
250 ns
连续放电电流(ID)
140A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
200V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
560A
雪崩能量等级(Eas)
800 mJ
栅源电压
3 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STE140NF20D拓展信息
STMicroelectronics
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