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STF10LN80K5备选型号: IPAW60R600CEXKSA1
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- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 连续放电电流(ID)
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- RoHS状态
- 无铅
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- 已出版
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- 端子位置
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FPACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack38A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STF10LNN-Channel630m Ω @ 4A, 10V5V @ 100μA427pF @ 100V15nC @ 10V800V±30V8A4V无SVHCROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET N-CH 600V TO220-3-18 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack310.3A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明-N-Channel600m Ω @ 2.4A, 10V3.5V @ 200μA444pF @ 100V20.5nC @ 10V600V±20V10.3A3V无SVHCROHS3 Compliant-SILICON2013yes3SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDSWITCHINGTO-220AB0.6Ohm19A600V超级交界处- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPAW60R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 对比 |
| STF10NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STF10NM60N Power MOSFET, N Channel, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
 | STF11NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP | 对比 |
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