STF10N95K5备选型号: IPA80R1K0CEXKSA2
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 通道数量
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- MOSFET N-CH 950V 8A TO-220FPACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full PackSILICON8A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH5™活跃1 (Unlimited)3EAR99SINGLE未说明未说明STF10NR-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING800m Ω @ 4A, 10V5V @ 100μA630pF @ 100V22nC @ 10V950V±30V8ATO-2478A0.8Ohm32A950V122 mJROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET N-CH 800V TO-220-3-18 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full PackSILICON5.7A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE活跃1 (Unlimited)3EAR99SINGLE未说明未说明-R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 3.6A, 10V3.9V @ 250μA785pF @ 100V31nC @ 10V-±20V5.7ATO-220AB-0.95Ohm--230 mJROHS3 Compliant无铅1997e3yesTin (Sn)132WISOLATED25 ns无卤素20V800V800V150°C19.6mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STF10N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP | 对比 |
![]() | IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | 对比 |
![]() | STF8N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP | 对比 |





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