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首页 全部分类 STF10NM60N vs STF10NM50N

STF10NM60N备选型号: STF10NM50N

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STF10NM60N
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STF10NM60N Power MOSFET, N Channel, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    STF10N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    25W
    ISOLATED
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    550m Ω @ 4A, 10V
    4V @ 250μA
    540pF @ 50V
    19nC @ 10V
    12ns
    600V
    ±25V
    15 ns
    10A
    3V
    TO-220AB
    25V
    8A
    0.55Ohm
    600V
    200 mJ
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF10NM50N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 500V 0.53 7A MDmesh II Power MO
    -
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    STF10N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    25W
    ISOLATED
    7.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    630m Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    450pF @ 50V
    17nC @ 10V
    4.4ns
    -
    ±25V
    12 ns
    7A
    3V
    TO-220AB
    25V
    7A
    -
    -
    -
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    630MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    500V
    28A
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